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优点化学抛光的优点是化学抛光设备简单，不需要什么特殊设备，只需要一个盛抛光液的玻璃杯和夹持试样的夹子就可以了。如果用细薄磨料片切割的试样，切割后不需要砂纸磨光，即可直接抛光。有些非导体材料也可以用化学抛光，非导体嵌镶的试样也可以直接抛光。化学抛光也可以处理形状比较复杂的零件

缺点1、化学抛光的质量不如电解抛光。2、化学抛光所用溶液的调整和再生比较困难，在应用上受到限制。3、化学抛光操作过程中，散发出大量黄棕色***气体，对环境污染非常严重。4、抛光溶液的使用寿命短，溶液浓度的调节和再生比较困难

抛光三环节研磨、抛光、还原各环节具体含义及质量标准：1、 研磨：通过表面预处理清除漆面上的污物，消除严重氧化、细微划痕及表面缺陷，工艺大多采用水砂纸去除表面瑕疵，一般使用3M 1500-2500皇牌水砂纸。随着人工成本的提高，水磨砂纸研磨效率不高，使用后砂纸痕较重的问题开始凸显，一些主流站开始采用3M 金字塔砂纸，P1500和P3000砂纸，使用干磨机抛光半湿磨的方式进行研磨，无砂纸痕的残留，机械化操作，可极大的提高抛光效率。具体步骤如下：a, 缺陷去除。漆面喷洒少量水，使用P1500金字塔砂纸配合干磨机整体上下左右各一遍，漆面呈亚光状态；打磨后，使用橡胶刮水板刮除表面的白沫，观察漆面，找出突显的缺陷，再在砂碟上喷洒少量水，去除缺陷。b, 漆面过细。使用干磨机配合P3000金字塔砂碟和干磨软垫过细打磨过的漆面，在砂碟和漆面上喷洒一定量的水，以较快的移遮蔽保护动速度，按上下左右顺序各两道打磨整个漆面。打磨后，使用橡胶刮水板刮除表面水和白沫。

这两个概念主要出半导体加工过程中，的半导体基片（衬底片）抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等，但是得到的晶片表面损伤是极其严重的。直到60年代末，一种新的抛光技术——化学机械抛光技术（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了旧的方法。CMP技术综合了化学和机械抛光的优势：单纯的化学抛光，抛光速率较快，表面光洁度高，损伤低，平整性好，但表面平整度和平行度差，抛光后表面一致性差；单纯的机械抛光表面一致性好，表面平整度高，但表面光洁度差，损伤层深。化学机械抛光可以获得较为平整的表面，又可以得到较高的抛光速率，得到的平整度比其他方法高两个数量级，是能够实现全局平面化的有效方法。