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发布时间:2020-05-15 13:05:29
化学抛光溶液:
化学抛光液的成分随抛光材料的不同而不同。一般为混合酸液。化学抛光溶液由氧化剂和粘滞剂组成。氧化剂起抛光作用,它们是酸类和。常用的酸类有:正磷酸、铬酸、***、醋酸、、等等。粘滞剂用于控制溶液中的扩散和对流速度,使化学抛光过程均匀进行。
化学抛光操作步骤
1:试样准备:试样经精磨光后清洗。
2:配置化学抛光溶液。化学抛光溶液应在烧杯中调配,根据试样材料选择化学抛光液配方,配溶液时应用蒸馏水,***用化学纯***。某些不易溶于水的***需要加热溶液才能溶解。和腐蚀性很强,调配时需注意安全。化学抛光溶液经使用之后,溶液内金属离子增多,抛光作用减弱,如果发现作用缓慢,气泡减少,应更换新药液。
3:试样用竹夹或者木夹夹住浸入抛光液中,一边搅动并适时取出观察至达到抛光要求后取出。
4:化学抛光结束之后,试样应立即清洗、吹干。
是以***为载体,在适宜的温度范围内进行化学抛光,通常情况下、(或),抛光过程即完成化学抛光方法,将欲抛光的不锈钢在此溶液中浸泡,当溶液呈现绿色时、代替相应的酸,先将这些盐类溶于溶有淀粉的水溶液中,然后再将此欲抛光的材料浸入***溶液中,使其表面附着一层溶有上述盐类的淀粉层,用氯化钠化学抛光,一般使用或磷酸等氧化剂溶液,在一定的条件下,使工件表面氧化,此氧化层又能逐渐溶人溶液,表面微凸起处氧化较快而较多,而微凹处则被氧化慢而少。同样凸起处的氧化层又比四处更多、更快地扩散,溶解于酸型溶液中,因此使加工表面逐渐被整平,达到改善工件表面粗糙度或使表面平滑化和光泽化的目的。化学抛光可以大面或多件抛光薄壁、低刚度工件,可以抛光内表面和形状复杂的工件,不需要外加电源、设备,操作简单、成本低。其缺点是化学抛光效果比电解抛光效果差,抛光过程中会产生氮氧化合物等环境污染物,而且抛光液用后处理较麻烦
半导体行业CMP技术还广泛的应用于集成电路(IC)和超大规模集成电路中(ULSI)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展,对抛光技术提出了新的要求,传统的抛光技术(如:基于淀积技术的选择淀积、溅射等)虽然也可以提供“光滑”的表面,但却都是局部平面化技术,不能做到全局平面化,而化学机械抛光技术解决了这个问题,它是可以在整个硅圆晶片上平坦化的工艺技术。
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