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①温度。化学抛光时，溶解速度随着抛光液温度的提高而显著地增加。此外，强氧化性酸（如浓、等）在高温时氧化作用也会显著提高。在化学抛光时，由于这些酸的溶解和氧化作用会同时发生，故多数情况下都是把抛光液加热到较高温度再进行化学抛光。需要提高温度再进行化学抛光的金属有钢铁、镍、铅等，若温度低于某一定值，就会出现无光的腐蚀表面，故存在一个形成光泽面的临界温度，在临界温度以上的一定温度范围内，抛光。而这个温度范围又因溶液组成而异。如果高于这个温度范围，会形成点蚀、局部污点或斑点，使整个抛光效果降低。此外温度越高，金属表面的溶解损失也越大

（1）在连续性的批量化学抛光作业中，要获得比较稳定的抛光效果，就必须对受热易分解或消耗量大的溶液组分进行及时的补充和调整。何时补加，多长时间补一次，每次补多少，均要由具体情况（如抛光制件的多少，抛光溶液的组成等）酌情控制。直观的依据是抛光表面的光亮度变化情况，即依抛光效果来调整。

（2）化学抛光液的酸值一般应稳定在1.5~2.5之间。

（3）化学抛光作业中，抛光溶液中的铁含量呈累积性的增加。当铁含量过高时，抛光质量及工效均会相应降低。有文献指出，补加一些易损耗组分后，若溶液的抛光效果还不能明显改善时，即可认为该溶液中的铁含量过高。这时就应该弃旧换新了。比较成熟的经验，是抛光溶液中铁的含量不得高于35g/L

这两个概念主要出半导体加工过程中，的半导体基片（衬底片）抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等，但是得到的晶片表面损伤是极其严重的。直到60年代末，一种新的抛光技术——化学机械抛光技术（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了旧的方法。CMP技术综合了化学和机械抛光的优势：单纯的化学抛光，抛光速率较快，表面光洁度高，损伤低，平整性好，但表面平整度和平行度差，抛光后表面一致性差；单纯的机械抛光表面一致性好，表面平整度高，但表面光洁度差，损伤层深。化学机械抛光可以获得较为平整的表面，又可以得到较高的抛光速率，得到的平整度比其他方法高两个数量级，是能够实现全局平面化的有效方法。