淮北三酸抛光工艺择优推荐“本信息长期有效”

化学抛光是靠化学***的化学浸蚀作用对样品表面凹凸不平区域的选择性溶解作用消除磨痕、浸蚀整平的一种方法。化学抛光设备简单，能够处理细管、带有深孔及形状复杂的零件，生产。化学抛光可作为电镀预处理工序，也可在抛光后辅助以必要的防护措施直接使用。为了进行化学抛光，必须使零件表面的凸部比凹部优先溶解，因此应将化学抛光的作用分为两个阶段来认识。阶段是化学抛光时金属表面现象的几何凸凹的整平，去除较粗糙的表面不平度，获得平均为数微米到数十微米的光洁度；第二阶段是晶界附近的结晶不完整部分的平滑化，去除微小的不平，在0.1～0.01μm，相当于光波长的范围。可将阶段称为宏观抛光或平滑化，把第二阶段称为微观抛光或光泽化。

机械抛光：

机械抛光一般是将工件压向预先涂有抛光膏(剂)的转动布轮或其他弹性轮子上的操作.其实质是用抛光轮来平复磨光后的制件表面上极微小的不平处.铝型材通过机械抛光可得到似镜而般的表面,其泽色随所用抛光膏不同而变化,其外观问抛光者技术有关.电解抛光是将工件作为阳极,在电解过程中,工件突出的部位溶解速度大于低凹处,随着抛光的进行,工件表面的微观及宏观的凸凹部分得以整平.这一过程能改善金属表面的显微几何形状,降低金属表面的显微粗糙程度,铝型材使零件表面变得光亮.

氧化抛光液氧化抛光液是以微米或亚微米级CeO2为磨料的氧化研磨液，该研磨液具有分散性好、粒度细、粒度分布均匀、硬度适中等特点。适用于高精密光学仪器，光学镜头，微晶玻璃基板，晶体表面、集成电路光掩模等方面的精密抛光。氧化铝和碳化硅抛光液是以超细氧化铝和碳化硅微粉为磨料的抛光液，主要成分是微米或亚微米级的磨料。主要用于高精密光学仪器、硬盘基板、磁头、陶瓷、光纤连接器等方面的研磨和抛光。

半导体行业CMP技术还广泛的应用于集成电路(IC)和超大规模集成电路中(ULSI)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展，对抛光技术提出了新的要求，传统的抛光技术（如：基于淀积技术的选择淀积、溅射等）虽然也可以提供“光滑”的表面，但却都是局部平面化技术，不能做到全局平面化，而化学机械抛光技术解决了这个问题，它是可以在整个硅圆晶片上平坦化的工艺技术。