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发布时间:2020-08-16 04:49:08
①温度。化学抛光时,溶解速度随着抛光液温度的提高而显著地增加。此外,强氧化性酸(如浓、等)在高温时氧化作用也会显著提高。在化学抛光时,由于这些酸的溶解和氧化作用会同时发生,故多数情况下都是把抛光液加热到较高温度再进行化学抛光。需要提高温度再进行化学抛光的金属有钢铁、镍、铅等,次磷,若温度低于某一定值,就会出现无光的腐蚀表面,故存在一个形成光泽面的临界温度,在临界温度以上的一定温度范围内,抛光。而这个温度范围又因溶液组成而异。如果高于这个温度范围,会形成点蚀、局部污点或斑点,使整个抛光效果降低。此外温度越高,金属表面的溶解损失也越大
这两个概念主要出半导体加工过程中,的半导体基片(衬底片)抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等,化学抛光生产商,但是得到的晶片表面损伤是极其严重的。直到60年代末,一种新的抛光技术——化学机械抛光技术(CMP Chemical Mechanical Polishing )取代了旧的方法。CMP技术综合了化学和机械抛光的优势:单纯的化学抛光,抛光速率较快,表面光洁度高,损伤低,平整性好,但表面平整度和平行度差,佳木斯化学抛光,抛光后表面一致性差;单纯的机械抛光表面一致性好,焦亚***钠,表面平整度高,但表面光洁度差,损伤层深。化学机械抛光可以获得较为平整的表面,又可以得到较高的抛光速率,得到的平整度比其他方法高两个数量级,是能够实现全局平面化的有效方法。
抛光时间。要得到好的抛光效果,就需要花费一定的时间。若抛光时间太短,只能获得没有光泽的梨皮状表面。若时间过长,不仅溶解损失增大,而且加工表面会出现污点或斑点。因此存在着一个适当的时间范围,它受材料、抛光液的组成及抛光温度等因素的影响,通常难以预测,除用实验测定外,没有其他方法。化学抛光中往往产生氢气,这是抛光具有氢脆敏***材料时必须注意的问题。另外,抛光液温度高达100~200℃时,还会产生退火作用。为了把氢脆和退火作用的影响减小到,就必须在适宜的温度范围内选择尽可能短的抛光时间。
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