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化学抛光溶液：

化学抛光液的成分随抛光材料的不同而不同。一般为混合酸液。化学抛光溶液由氧化剂和粘滞剂组成。氧化剂起抛光作用，它们是酸类和。常用的酸类有：正磷酸、铬酸、***、醋酸、、等等。粘滞剂用于控制溶液中的扩散和对流速度，使化学抛光过程均匀进行。

化学抛光操作步骤

1：试样准备：试样经精磨光后清洗。

2：配置化学抛光溶液。化学抛光溶液应在烧杯中调配，根据试样材料选择化学抛光液配方，配溶液时应用蒸馏水，***用化学纯***。某些不易溶于水的***需要加热溶液才能溶解。和腐蚀性很强，调配时需注意安全。化学抛光溶液经使用之后，溶液内金属离子增多，抛光作用减弱，如果发现作用缓慢，气泡减少，应更换新药液。

3：试样用竹夹或者木夹夹住浸入抛光液中，一边搅动并适时取出观察至达到抛光要求后取出。

4：化学抛光结束之后，试样应立即清洗、吹干。

铝合金产品传统的三酸抛光的化学工艺配方为：磷酸80%，***10%，10%。目前磷酸的价格为5400元/吨，***700元/吨，2300元/吨（以上价格仅作为参考）。那么我们传统的配方成本为：磷酸800ml*1.70*5.40=7.344元，***100ml*1.84*0.7=0.13元，100ml*1.40*2.30=0.32元，那么一升抛光液合计的成本为7.8元。目前我公司研制成功的OY系列铝处理化学抛光工艺，磷酸为500ml/l,***500ml/l,光亮剂20ml/l, 成本核算为：500ml*1.70*5.40=4.59元；***500*1.84*0.7=0.644;光亮剂计0.65元，合计5.85元。因此，我公司OY系列铝处理工艺，成本足足下降了20%。而且OY系列产品在处理铝的时候,无任何黄烟，大大的改善了生产环境；处理成品率可以在到98%以上，几乎无因为抛光而造成的报废品；光亮度好，与三酸处理无异；维护管理容易，溶液性能稳定。因此，我公司极力推荐使用本产品。

半导体行业CMP技术还广泛的应用于集成电路(IC)和超大规模集成电路中(ULSI)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展，对抛光技术提出了新的要求，传统的抛光技术（如：基于淀积技术的选择淀积、溅射等）虽然也可以提供“光滑”的表面，但却都是局部平面化技术，不能做到全局平面化，而化学机械抛光技术解决了这个问题，它是可以在整个硅圆晶片上平坦化的工艺技术。